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　　专利摘要显示，本公开实施例公开了外延生长基座、设备、方法以及外延晶圆，所述外延生长基座包括：基底部分，所述基底部分被构造成面向衬底的中心区域；设置在所述基底部分外围的凸缘部分，所述凸缘部分被构造成与所述衬底的边缘区域接触来承载所述衬底；以及设置在所述凸缘部分外围的边沿部分；其中，所述凸缘部分沿所述外延生长基座的径向方向的长度大于等于 16mm。

　　天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本350000万人民币，实缴资本350000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息1214条，此外企业还拥有行政许可24个。

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