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　　专利摘要显示，减小 PP 区空穴的 SiC MOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在器件中 P‑body 区下部和 PP 区底部的位置通过形成截止区的 N+区，使器件 PN 结体二极管在续流过程中，作为截止区的 N+区会将 PP 区的空穴截止，避免其进入到 SiC Drift 层。这样减小了 PP 区空穴与 SiC Drift 层电子发生复合，从而降低了器件的双极退化风险。

　　天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目173次，财产线条，此外企业还拥有行政许可233个。